SS32BQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 20 В, ток до 3 А, с падением напряжения 480 мВ, ёмкостью перехода 150 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS32B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32BQ THRU SS34BQ COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guard ring for overvoltage protection ● Low power losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, automotive and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT SS32BQ SS33BQ SS34BQ SS32B SS33B SS34B Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V 20 30 40 Maximum RMS voltage VRMS V 14 21 28 Maximum DC blocking voltage VDC V 20 30 40 IO A 3.0 IFSM A 80 dV/dt V/μs 10000 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~+150 Maximum average forward rectified current at TL (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, TJ=25℃ Voltage rate of change (rated VR) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Instantaneous forward voltage Reverse current Typical junction capacitance SYMBOL VF IR CJ TYP MAX TJ=25℃ 0.48 0.5 TJ=125℃ 0.41 0.45 TJ=25℃ 15 100 μA TJ=125℃ - 30 mA 150 - pF TEST CONDITIONS UNIT V IF=3A Rated VR VR=4V,f=1MHz 1/4 S-S4283 Rev.1.1,15-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS32BQ 

Microsoft Word - SS32BQ THRU SS34BQ

Дата модификации: 21.09.2023

Размер: 225.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)