SS510BQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 5 А, с падением напряжения 770 мВ, ёмкостью перехода 150 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Schottky Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS58BQ THRU SS510BQ COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guard ring for overvoltage protection ● Low power losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, automotive and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS58BQ SS510BQ SS58B SS510B Repetitive peak reverse voltage VRRM V 80 100 Maximum RMS voltage VRMS V 56 70 Maximum DC blocking voltage VDC V 80 100 IO A 5.0 IFSM A 120 dV/dt V/μs 10000 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+175 Junction temperature TJ ℃ -55 ~+175 Maximum average forward rectified current at TL (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, TJ=25℃ Voltage rate of change (rated VR) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Instantaneous forward voltage Reverse current Typical junction capacitance SYMBOL VF IR CJ TYP MAX TJ=25℃ 0.77 0.8 TJ=125℃ 0.63 0.75 TJ=25℃ 0.2 10 TJ=125℃ - 200 150 - TEST CONDITIONS UNIT V IF=5A μA Rated VR VR=4V,f=1MHz pF 1/4 S-S4297 Rev.1.1,15-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS510BQ 

Microsoft Word - SS58BQ THRU SS510BQ

Дата модификации: 15.09.2022

Размер: 227 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)