SS810

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 8 А, с падением напряжения 850 мВ, ёмкостью перехода 270 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS1010 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS82 THRU SS820 COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS82 SS84 SS86 SS810 SS815 SS820 SS82 SS84 SS86 SS810 SS815 SS820 20 40 60 100 150 200 VRRM V IO A 8.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 120 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55~+125 -55 ~+150 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS SS82 SS84 SS86 SS810 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=8.0A 0.55 0.60 0.70 0.85 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj PARAMETER pF SS815 0.95 Ta=25℃ 0.2 0.1 Ta=100℃ 20 5.0 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 450 350 270 SS820 180 1/4 S-S439 Rev. 2.6, 18-Jun-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS810 

Microsoft Word - SS82 THRU SS820

Дата модификации: 18.06.2019

Размер: 177.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)