US1B

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 15 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
F~ US1D (YJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- SSL210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES2BA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon
A- GS1B (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS210A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10 шт
 
A- SS210 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES1B (DC)
 

ES1B (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC]
A- ES1B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 10000 шт
 
A- HS1B (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS110 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM)
A- SS110AQ (YJ)
 
40 шт
 
Surface Mount Schottky Rectifier
A- ES1B (YJ)
 

ES1B (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2B SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- SS110 (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ESH2BA (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SK110B (TSC)
 
DO214AC 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- US1B (TSC)
 

US1B (DIODES)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- S1B (TSC)
 

S1B (ONS-FAIR)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
US1A THRU US1M 高效整流二极管 High Efficient Rectifier ■特征 ■外形尺寸和印记 Features ●Io 1.0A ●VRRM 50V-1000V ●耐正向浪涌电流能力高 ●High surge current capability Outline Dimensions and Mark SMA-W Mounting Pad Layout .181(4.60) .157(4.00) .104(2.65) .095(2.40) 0.065 (1.66) 0.080 (2.04) .205(5.20) .189(4.80) ■用途 0.077(1.96) Applications .089(2.25) .096(2.45) 0.220 (5.58) ●整流用 Rectifier .059(1.50) .031(0.80) .064(1.63) .050(1.27) .004(0.10) .007(0.20) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值(绝对最大额定值) Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 符号 参数名称 Symb ol Item US 单位 条件 Unit Conditions 1A 1B 1D 1F 1G 1J 1K 50 100 200 300 400 600 800 1000 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 正向平均电流 Average Forward Current IF(AV) A IFSM A TJ ℃ -55~+125 TSTG ℃ -55 ~ +150 正向(不重复)浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature 正弦半波 60Hz,电阻负载,Ta=50℃ 60Hz Half-sine wave, Resistance load, Ta=50℃ 正弦半波 60Hz, 一个周期, Ta=25℃ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ 1M 1.0 30 ■电特性 (Ta=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 正向峰值电压 Peak Forward Voltage VFM V 反向峰值电流 Peak Reverse Current IRRM1 IRRM2 反向恢复时间 Reverse Recovery time 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical) trr μA ns RθJ-A ℃/W RθJ-L Document Number 0143 Rev. 1.0, 22-Sep-11 测试条件 Test Condition IFM=1.0A US 1A 1B 1D 1.0 1F 1G 1.3 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 结和环境之间 Between junction and ambient 结和引线之间 Between junction and lead 50 VRM=VRRM 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 50 1J 1K 1.7 75 55 25 www.21yangjie.com 1M PDF
Документация на US1A 

Microsoft Word - US1A-US1M.doc

Дата модификации: 08.11.2011

Размер: 129.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.