YJD05C90HJ

RoHS YJD05C90HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 900V 5A <1.5Ω General Description ● Super Junction High Voltage MOSFET technology ● Low power loss by high speed switching and low on-resistance ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halog...
развернуть ▼ свернуть ▲
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 2500  шт.

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CS6N80A4R (CRMICRO)
 
TO252
P- HPD800R900PD-G (CRMICRO)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJD05C90HJ 

Дата модификации: 09.05.2023

Размер: 741.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.