YJD112015NGG2
RoHS
YJD112015NGG2
COMPLIANT
Silicon Carbide Schottky Diode
VRRM
1200V
IF(135°C)
33A
QC
114nC
Features
● Positive temperature coefficient
● Temperature-independent switching
● Maximum working temperature at 175 °C
● Unipolar devices and zero reverse recovery current
● Zero forward recovery current
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● High-frequen...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
- Норма упаковки: 3 шт.
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | WSRSIC020120NP8 (WAYON) | TO2473 | в линейках 30 шт | ||
P= | G5S12020BM (GPT) | TO2473 | в линейках 500 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD112015NGG2
MUR1060规格书 Keywords:
Дата модификации: 15.03.2024
Размер: 1.64 Мб
5 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.