YJD11C65HJ

SUNCO
RoHS YJD11C65HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 650V 11A ＜380mΩ General Description ● Super Junction High Voltage MOSFET technology ● Low RDS(ON) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 10  шт.

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD11C65HJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 650V 11A ＜380mΩ General Description ● Super Junction High Voltage MOSFET technology ● Low RDS(ON) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Server power ● Charger ● PD Adapter ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 650 V Gate-source Voltage VGS ±30 V 1.5 TA=25℃ 0.9 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 11 TC =100℃ 7 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 30 A EAS 3.6 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 83 TC =100℃ 33 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.3 1.6 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD11C65HJ F1/F2 YJD11C65HJ 2500 / 25000 13”Reel 1/8 S-E307 Rev.1.0,13-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD11C65HJ 

Дата модификации: 13.03.2023

Размер: 704 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    20 августа
    новость

    Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

    Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.