BC856B

UMW
UMW R UMW BC856 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BC856A, B BC857A, B,C BC858A, B,C TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES y Ideally suited for automatic insertion y For Switching and AF Amplifier Applications 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Value Collector-Base Voltage BC856 BC857 BC858 Unit -80 V -50 -30...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW BC856 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BC856A, B BC857A, B,C BC858A, B,C TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES y Ideally suited for automatic insertion y For Switching and AF Amplifier Applications 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Value Collector-Base Voltage BC856 BC857 BC858 Unit -80 V -50 -30 Collector-Emitter Voltage BC856 BC857 BC858 -65 V -45 -30 VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current –Continuous -0.1 A PC Collector Power Dissipation 200 mW TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -65-150 ℃ DEVICE MARKING BC856A=3A; BC856B=3B; BC857A=3E;BC857B=3F;BC857C=3G; BC858A=3J; BC858B=3K; BC858C=3L www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на BC856B 

UMW BC856

Дата модификации: 24.02.2023

Размер: 501.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)