Вход / Регистрация

GSOT05C-E3-08

UMW
UMW R GSOTXXC-E3-08 Features ●• Two-line ESD protection device  ●• ESD immunity acc. IEC 61000-4-2 3 ± 30 kV contact discharge  ± 30 kV air discharge  ●• ESD capability according to AEC-Q101: 1 human body model: class H3B: > 8 kV • Space saving SOT-23 package ● 2 ●• AEC-Q101 qualified available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS GSOT03C PARAMETER Peak pulse current Peak pulse power E...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R GSOTXXC-E3-08 Features ●• Two-line ESD protection device  ●• ESD immunity acc. IEC 61000-4-2 3 ± 30 kV contact discharge  ± 30 kV air discharge  ●• ESD capability according to AEC-Q101: 1 human body model: class H3B: > 8 kV • Space saving SOT-23 package ● 2 ●• AEC-Q101 qualified available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS GSOT03C PARAMETER Peak pulse current Peak pulse power ESD immunity Operating temperature TEST CONDITIONS Pin 1 to 3 or pin 2 to 3 acc. IEC 61000-4-5, t p = 8/20 μs; single shot Pin 1 to 2 or pin 2 to 1; pin 3 not connected acc. IEC 61000-4-5, t p = 8/20 μs; single shot Pin 1 to 3 or pin 2 to 3 acc. IEC 61000-4-5, t p = 8/20 μs; single shot Pin 1 to 2 or pin 2 to 1; pin 3 not connected acc. IEC 61000-4-5, t p = 8/20 μs; single shot Contact discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses Air discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses Junction temperature Storage temperature www.umw-ic.com 1 SYMBOL VALUE UNIT 30 A 30 A 369 W 504 W IPPM PPP ± 30 kV ± 30 kV TJ -55 to +150 °C T STG -55 to +150 °C VESD UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на GSOT03C-E3-08 

UMW GSOTXXC-E3-08

Дата модификации: 26.08.2023

Размер: 381.3 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)