PESD12VS2UT

UMW
PESD12VS2UT Features ■ 300 W peak pulse power (tp = 8/20μs) ■ Bidirectional and unidirectionalconfigurations ■ Solid-state silicon-avalanche technology ■ Low clamping voltage ■ Low leakage current ■ Low capacitance (Cj=60 pF typ.) ■ Protection two data lines ■ IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air ■ IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) ■ IEC 61000-4-5 (Lightning) 12A(8/20μs) 1 1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Паразитная емкость перехода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- 1.5KE15A (YJ)
 
DO201AE в ленте 1250 шт Ограничительный диод. Импульсная мощность рассеивания 1.5kW. Напряжение пробоя 15V+/-5%... — Trans Voltage Suppressor Diode, 12.8V V(RWM), Unidirectional, Silicon
A- ESD12VE (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- P6SMB15A (YJ)
 

P6SMB15A/TR7 (YAG) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5KE15A (DC)
 
DO201 в ленте 500 шт Защитный диод - [DO-201AE]; Pрасс: 6.5 Вт; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 12.8 В; Uогр(ном)... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P4SMA15A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- P4SMA15AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- P6SMB15AQ (YJ)
 
—
 
 —
A- 1.5SMC15AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- ESD12VD5 (YJ)
 
SOD-523 8000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 250W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
A- DTESD12VLED02 (JSCJ)
 
—
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
PESD12VS2UT Features ■ 300 W peak pulse power (tp = 8/20μs) ■ Bidirectional and unidirectionalconfigurations ■ Solid-state silicon-avalanche technology ■ Low clamping voltage ■ Low leakage current ■ Low capacitance (Cj=60 pF typ.) ■ Protection two data lines ■ IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air ■ IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) ■ IEC 61000-4-5 (Lightning) 12A(8/20μs) 1 1 3 3 2 2 SOT-23 (Top View) Mechanical Data Applications ■ Dataline ■ SOT23-3L package ■ Automatic Teller Machines ■ Molding compound flammability rating: UL 94V-0 ■ Net works ■ Packaging: Tape and Reel ■ Power line ■ RoHS/WEEE Compliant Absolute Maximum Rating Rating Symbol Value Units Peak Pulse Power ( tp =8/20μs ) PPP 300 W Peak Pulse Current ( tp =8/20μs )(note1) Ipp 12 A VESD 30 30 kV Lead SolderingTemperature TL 260 ℃ JunctionTemperature TJ -55 to + 125 ℃ StorageTemperature Tstg -55 to + 125 ℃ ESD per IEC 61000-4-2(Air) ESD per IEC 61000-4-2 (Contact) www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на PESD12VS2UT 

Features Keywords:

Дата модификации: 16.01.2021

Размер: 480.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE150A (YJ)