PESD5V0L2UM

UMW R PESDXXXL2UM FEATURES • Uni-directional ESD protection of two lines or ■ bi-directional ESD protection of one line • Reverse standoff voltage 3.3 and 5 V ■ ■ • Low diode capacitance ■ • Ultra low leakage current • Leadless ultra small SOT883 surface mount package ■ (1 × 0.6 × 0.5 mm) ■ • Board space 1.17 mm2 (approx. 10% of SOT23) ■ • ESD protection >15 kV • IEC 61000-4-2; level...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам двунаправленный, однонаправленный
Количество линий ограничения
Паразитная емкость перехода
  Примечание: Uni-directional ESD protection of two lines or bi-directional ESD protection of one line
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- MMBZ6V8ALT1G (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт двунаправленный, однонаправленный Two separate unidirectional configurations or a single bidirectional configuration

Файлы 1

показать свернуть
UMW R PESDXXXL2UM FEATURES • Uni-directional ESD protection of two lines or ■ bi-directional ESD protection of one line • Reverse standoff voltage 3.3 and 5 V ■ ■ • Low diode capacitance ■ • Ultra low leakage current • Leadless ultra small SOT883 surface mount package ■ (1 × 0.6 × 0.5 mm) ■ • Board space 1.17 mm2 (approx. 10% of SOT23) ■ • ESD protection >15 kV • IEC 61000-4-2; level 4 (ESD); 15 kV (air) or ■ 8 kV (contact). APPLICATIONS DESCRIPTION • Cellular handsets and accessories ■ Low capacitance ESD protection diode in a three pad • Portable electronics ■ SOT883 leadless ultra small plastic package designed to • Computers and peripherals ■ protect up to two transmission or data lines from • Communication systems ■ ElectroStatic Discharge (ESD) damage. • Audio and video equipment. ■ LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT Per diode Ipp peak pulse current 8/20 µs pulse; notes 1, 2 and 3 PESD3V3L2UM − 3 A PESD5V0L2UM − 2.5 A Ppp peak pulse power 8/20 µs pulse; notes 1, 2 and 3 − 30 W IFSM non-repetitive peak forward current tp = 1 ms; square pulse − 3.5 A IZSM non-repetitive peak reverse current tp = 1 ms; square pulse PESD3V3L2UM − 0.9 A PESD5V0L2UM − 0.8 A Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 4 − 250 mW PZSM non-repetitive peak reverse power dissipation tp = 1 ms; square pulse; see Fig.4 − 6 W Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature ESD electrostatic discharge − 150 °C IEC 61000-4-2 (contact discharge) 15 − kV HBM MIL-Std 883 10 − kV 1. Non-repetitive current pulse 8/20 µs exponential decay waveform; see Fig.5. 2. Pins 1 and 3 or 2 and 3. 3. Pins 1 and 2. 4. Device mounted on standard printed-circuit board. www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на PESD5V0L2UM 

UMW PESDXXXL2UM

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 325.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.