Вход / Регистрация

PESDR0521P1

UMW
UMW R PESDR0521P1 Description The PESDR0521P1 is a bi-directional TVS diode, utilizing leading monolithic silicon technology to provide fast response time and low ESD clamping voltage, making this device an ideal solution for protecting voltage sensitive high-speed data lines. The PESDR0521P1 has an ultra-low capacitance with a typical value at 0.3pF, and complies with the IEC 61000-4-2 (ESD...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
Паразитная емкость перехода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- PESD5V0F1BL (YOUTAI)
 
— в ленте 500 шт
 
 — — —
A- ESDSLC3V3D3B (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- ESDSLC3V3D3BS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 —
A- ESDSLC5V0D3B (YJ)
 
SOD323 3000 шт
 
 —
A- ESDSLC5V0D3BS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 —
A- ESDSLC5V0D5B (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — Trans Voltage Suppressor Diode
A- ESDSLC5V0LB (YJ)
 
DFN1006D2 70 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 77W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
A- ESDSLC5V0LBA (YJ)
 
DFN1006D2
 
 —
A- ESDSLC5V0LBS (YJ)
 
DFN1006D2 в ленте 10000 шт
 
 —
A- ESDULC5V0LZB (YJ)
 
—
 
 —
A- WE05DRF-B (WAYON)
 
—
 
 — —
A- SMBJ6.5CA (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 6.5 В; Uогр(ном): 8 ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
UMW R PESDR0521P1 Description The PESDR0521P1 is a bi-directional TVS diode, utilizing leading monolithic silicon technology to provide fast response time and low ESD clamping voltage, making this device an ideal solution for protecting voltage sensitive high-speed data lines. The PESDR0521P1 has an ultra-low capacitance with a typical value at 0.3pF, and complies with the IEC 61000-4-2 (ESD) with ±25kV air and ±22kV contact discharge. It is assembled into an ultra-small 1.0x0.6x0.5mm lead-free DFN package. The small size, ultra-low capacitance and high ESD surge protection make PESDR0521P1 an ideal choice to protect cell phone, digital video interfaces and other high speed ports. Mechanical Characteristics ■ ■ ■ ■ ■ Features ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ Package: DFN1006-2 (1.0×0.6×0.5mm) Case Material: “Green” Molding Compound. Moisture Sensitivity: Level 3 per J-STD-020 Terminal Connections: See Diagram Below Marking Information: See Below Applications Ultra small package: 1.0x0.6x0.5mm Ultra low capacitance: 0.3pF typical Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage 2-pin leadless package Complies with following standards: –IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±25kV Contact discharge: ±22kV –IEC61000-4-5 (Lightning) 4A (8/20μs) RoHS Compliant ■ ■ ■ ■ ■ ■ Cellular Handsets and Accessories Display Ports MDDI Ports USB Ports Digital Video Interface (DVI) PCI Express and Serial SATA Ports Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Peak Pulse Power (8/20μs) PPK 100 W Peak Pulse Current (8/20μs) IPP 4 A ESD per IEC 61000−4−2 (Air) ESD per IEC 61000−4−2 (Contact) Operating Temperature Range Storage Temperature Range www.umw-ic.com ±25 VESD ±22 kV TJ −55 to +125 °C Tstg −55 to +150 °C 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на PESDR0521P1 

UMW PESDR0521P1

Дата модификации: 07.06.2022

Размер: 405.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)