Серия FET транзисторов BLM10P03
Общие характеристики
| Раздел | FET транзисторы | |
| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Ёмкость затвора | ||
| Особенности: High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection | ||
Документация на серию BLM10P03
Документация на BLM10P03-D
BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 03.04.2020
Размер: 2.4 Мб
12 стр.
Товары серии BLM10P03
| Наименование | i | Упаковка | Iс(25°C) | Pрасс |
|---|---|---|---|---|
| BLM10P03-D (CN BELL) | 200 шт | |||
| BLM10P03-E (CN BELL) | 20 шт | |||
| BLM10P03-Q (CN BELL) | ||||
| BLM10P03-R (CN BELL) |