Серия FET транзисторов BLM10P03

Общие характеристики

Раздел FET транзисторы
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
  Особенности: High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection

Документация на серию BLM10P03

Документация на BLM10P03-D 

BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 03.04.2020

Размер: 2.4 Мб

12 стр.

    Товары серии BLM10P03

    Наименование i Упаковка Iс(25°C) Pрасс
    BLM10P03-D (CN BELL)
     
     
    200 шт
    BLM10P03-E (CN BELL)
     
     
    20 шт
    BLM10P03-Q (CN BELL)
     
     
    BLM10P03-R (CN BELL)