BLM10P03-E

Green Product BLM10P03 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM10P03 uses advanced trench technology to provide ● VDS = -30V,ID = -24A (PDFN3.3*3.3) excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide ID = -30A(PDFN5*6) variety of applications. ID = -15A (SOP8) Application ID = -40A (TO-252) ●Power switching application RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=-10V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на BLM10P03-D 

BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 03.04.2020

Размер: 2.4 Мб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.