BLM10P03-E
Green Product
BLM10P03
30V P-Channel Power MOSFET
DESCRIPTION
KEY CHARACTERISTICS
The BLM10P03 uses advanced trench technology to provide
● VDS = -30V,ID = -24A (PDFN3.3*3.3)
excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide
ID = -30A(PDFN5*6)
variety of applications.
ID = -15A (SOP8)
Application
ID = -40A (TO-252)
●Power switching application
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=-10V...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM10P03
- Корпус: —
- Норма упаковки: 20 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BLM10P03-D
BL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 03.04.2020
Размер: 2.4 Мб
12 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.