Серия FET транзисторов BLM2305

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Заряд затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора
	Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management

Документация на серию BLM2305

Pb Free Product BLM2305 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The BLM2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and pin assignment ● Surface mount package Application ● PWM applications ● Load switch ● Power management SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 2305 BLM2305 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V TC =25℃ TC =70℃ Continuous Drain Current TA =25℃ -4.1 ID TA =70℃ Drain Current -Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range -3.2 -3 A -2.3 IDM -15 A PD 1.7 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 74 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient www.belling.com.cn (Note 2) Page 1 v2.1  PDF

Документация на BLM2305 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 08.08.2016

Размер: 313.6 Кб

6 стр.

• найти BLM2305.pdf

Товары серии BLM2305