BLM2305

Pb Free Product BLM2305 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The BLM2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -4,1 A, 0,043 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJK2009 (JSCJ)
 
SOT233L
 
±
P- CJK3415 (JSCJ)
 
SOT233L
 
P- YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02P30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02P30ME (WAYON)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.