BLM2305
Pb Free Product
BLM2305
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
The BLM2305 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
S
General Features
Schematic diagram
● VDS = -20V,ID = -4.1A
RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM2305
- Корпус: —
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -4,1 A, 0,043 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 8
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJK2009 (JSCJ) | SOT233L | — | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||
P- | CJK3415 (JSCJ) | SOT233L | — | ||||||||||||||
P- | YJL2301C (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
P- | YJL2305B (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
P- | WM02P41M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | WM02P30M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | WM02N70M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | WM02P30ME (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BLM2305
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Дата модификации: 08.08.2016
Размер: 313.6 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.