BLM2305

Belling
Pb Free Product BLM2305 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The BLM2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON)...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -4,1 A, 0,043 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJK2009 (JSCJ)
 
SOT233L
 
 — — ± — — — — —
P- CJK3415 (JSCJ)
 
SOT233L
 
 —
P- YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM02P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM02P30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM02P30ME (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product BLM2305 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The BLM2305 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and pin assignment ● Surface mount package Application ● PWM applications ● Load switch ● Power management SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 2305 BLM2305 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V TC =25℃ TC =70℃ Continuous Drain Current TA =25℃ -4.1 ID TA =70℃ Drain Current -Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range -3.2 -3 A -2.3 IDM -15 A PD 1.7 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 74 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient www.belling.com.cn (Note 2) Page 1 v2.1 PDF
Документация на BLM2305 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 08.08.2016

Размер: 313.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)