Серия выпрямительных диодов 1N4148

JSCJ

Общие характеристики

 Раздел Выпрямительные диоды
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура

Документация на серию 1N4148

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV16W/1N4148W FAST SWITCHING DIODE SOD-123 FEATURES Fast Switching Speed z z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance MARKING: T6,T4 1N4148W BAV16W T4 T6 T4 T6 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 100 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 71 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA IFSM 2.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms Power Dissipation 1N4148W Pd BAV16W Thermal Resistance from Junction to Ambient(Note 1) 1N4148W RθJA BAV16W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG 350 400 357.1 312.5 -55~+150 mW ℃/W ℃ Note 1:Device mounted on 1''x1'' FR4 PCB,1oz single-side copper. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на 1N4148W 

Author: Administrator

Дата модификации: 28.05.2021

Размер: 518.4 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV16W/1N4148W SOD-123 FAST SWITCHING DIODE FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance + - MARKING: T6,T4 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 100 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 71 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Peak Forward Surge Current @t=1.0μs @t =1.0s 2.0 IFSM A 1.0 Pd 500 mW RθJA 250 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance between terminals CT 2 pF VR=0V,f=1MHz Reverse recovery time trr 4 ns Forward voltage Reverse current IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω A,Mar,2011 PDF
Документация на 1N4148W 

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO

Дата модификации: 08.06.2011

Размер: 251.8 Кб

2 стр.

    Товары серии 1N4148

    Наименование i Упаковка Корпус
    1N4148W (JSCJ)
     

    1N4148W (DIODES)     		в ленте 3000 шт SOD123
    1N4148WS (JSCJ)
     

    1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
    1N4148WS (DIODES)
     
    		 в ленте 3000 шт SOD323

    1N4148 публикации

    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать