1N4148W

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 42

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148WQ (YJ)
 
SOD123
 
P= 1N4148W (SHIKUES)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — — — —
P= L1N4148FT1G (LRC)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148G-CA2-R (UTC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BAT46W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
 — — — — —
P= BAT46W (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
 — — — — — — —
P= BAT46W (ANBON)
 
SOD123
 
 — — — — —
P= LBAT46T1G (LRC)
 
SOD123 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= MMSD914 (JSCJ)
 

MMSD914 (ONS-FAIR) 		SOD123 в ленте 30000 шт
 
 — —
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= L1N4148WT1G (LRC)
 
SOD123 1 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —
P= 1N4148W (YJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148 (YJ)
 

1N4148 (DIODES) 		DO35 в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323
 
 — —
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
P= BAT46W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM)
P= LMBR140ET1G (LRC)
 
— 300 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAR43 (JSCJ)
 

BAR43 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= BAT46WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — — —
P= BAT46WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P= 1N4448W (SHIKUES)
 
SOD123 550 шт
 
 — — — — — —
P= 1N4448W (DC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт —
P= BAT46WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт — —
P= BAT46WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —
P- LL4148 (SHIKUES)
 

LL4148 (DIODES) 		MiniMELF SOD80 — — — — — —
A- BAV116W (YJ)
 

BAV116W (DIODES) 		SOD123 320 шт
 
 — — — —
A- MMSD4148 (YJ)
 

MMSD4148 (ONS-FAIR) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A- 1N4448W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- 1N4448WQ (YJ)
 
SOD123
 
A- BAS16W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS16WQ (YJ)
 
— 35 шт
 
A- BAV19WQ (YJ)
 
SOD123
 
A- 1N4148W-G (JSCJ)
 
SOD123 50 шт —
A- BAV19W (JSCJ)
 
SOD123 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM)
A- BAV19W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV16W/1N4148W FAST SWITCHING DIODE SOD-123 FEATURES Fast Switching Speed z z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance MARKING: T6,T4 1N4148W BAV16W T4 T6 T4 T6 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 100 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 71 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA IFSM 2.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms Power Dissipation 1N4148W Pd BAV16W Thermal Resistance from Junction to Ambient(Note 1) 1N4148W RθJA BAV16W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG 350 400 357.1 312.5 -55~+150 mW ℃/W ℃ Note 1:Device mounted on 1''x1'' FR4 PCB,1oz single-side copper. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на 1N4148W 

Author: Administrator

Дата модификации: 28.05.2021

Размер: 518.4 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes BAV16W/1N4148W SOD-123 FAST SWITCHING DIODE FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance + - MARKING: T6,T4 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM 100 V DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 71 V Forward Continuous Current IFM 300 mA Average Rectified Output Current IO 150 mA Peak Forward Surge Current @t=1.0μs @t =1.0s 2.0 IFSM A 1.0 Pd 500 mW RθJA 250 ℃/W Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions VF1 0.715 V IF=1mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=50mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 1 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance between terminals CT 2 pF VR=0V,f=1MHz Reverse recovery time trr 4 ns Forward voltage Reverse current IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω A,Mar,2011 PDF
Документация на 1N4148W 

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO

Дата модификации: 08.06.2011

Размер: 251.8 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)