Серия защитных диодов P6SMB

JSCJ

Общие характеристики

 Раздел Защитные диоды
Корпус DO215AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Ток утечки при рабочем напряжении
Количество линий ограничения

Документация на серию P6SMB

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SMBG Plastic-Encapsulate Diodes P6SMB SERIES Transient Voltage Suppressor Diodes Features ● PPP 600W ● VRWM 5.8V- 513V SMBG ● Glass passivated chip Applications ● Clamping Voltage Marking Bi-directional ● P6SMB XXCA/XXA Uni-direction XX : From 6.8 To 600 Symbol Unit Conditions Peak pulse power dissipation PPPM W with a 10/1000us waveform 600 Peak pulse current (1) IPPM A with a 10/1000us waveform See Next Table PD W On infinite heat sink at TL=75℃ 5.0 IFSM A 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only 100 TJ,TSTG ℃ Item Power dissipation Peak forward surge current(2) Operating junction and storage temperature range Max -55 to +150 Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Conditions Max Maximum instantaneous forward Voltage (3) VF V at 35A for unidirectional only 3.5/5.0 RθJL ℃/W junction to lead 20 RθJA ℃/W junction to ambient， LLead = 10 mm 100 Thermal resistance Notes: (1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃per Fig.2. (2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal (3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на P6SMB100A 

Subject:

Дата модификации: 07.08.2019

Размер: 802.4 Кб

5 стр.

    Товары серии P6SMB

    Наименование i Упаковка Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iимп(макс) Тип
    P6SMB12CA (JSCJ)
     
     
    P6SMB33A (JSCJ)
     

    P6SMB33A/TR7 (YAG)
     

    P6SMB публикации

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCOYJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCOYJ пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCOYJ является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать