Серия биполярных транзисторов L8550

LRC

Общие характеристики

 Раздел Биполярный транзистор
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

Документация на серию L8550

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L8550HPLT1G Series FEATURE 3 ƽHigh current capacity in compact package. ƽEpitaxial planar type. 1 ƽPNP complement: L8550H 2 ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device COLLECTOR 3 Shipping Marking L8550HPLT1G 1HB 3000/Tape&Reel L8550HPLT3G 1HB 10000/Tape&Reel L8550HQLT1G 1HD 3000/Tape&Reel L8550HQLT3G 1HD 10000/Tape&Reel L8550HRLT1G 1HF 3000/Tape&Reel L8550HRLT3G 1HF 10000/Tape&Reel L8550HSLT1G 1HH 3000/Tape&Reel L8550HSLT3G 1HH 10000/Tape&Reel 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Symbol Max Unit VCEO VCBO VEBO IC -25 -40 V V -5 -1500 V mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Max Unit TA=25°C 225 mW Derate above 25°C 1.8 mW/°C 556 °C/W Alumina Substrate,(2) TA=25°C 300 mW Derate above 25°C 2.4 mW/°C R θJ A 417 °C/W T j,T St g -55 to +150 °C Total Device Dissipation FR-5 Board,(1) Thermal Resistance,Junction to Ambient Total Device Dissipation Thermal Resistance,Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol PD R θJ A PD 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.A 1/3 PDF
Документация на L8550HQLT1G 

Дата модификации: 09.05.2013

Размер: 66.7 Кб

3 стр.

    Товары серии L8550

    Наименование i Упаковка IК(макс) h 21
    L8550HQLT1G (LRC)
     
     
    L8550HRLT1G (LRC)
     
     
    L8550PLT1G (LRC)
     
     
    L8550QLT1G (LRC)