L8550PLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
L8550PLT1G
Series
FEATURE
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
3
1
2
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
SOT– 23
Shipping
Marking
L8550PLT1G
85P
3000/Tape&Reel
L8550PLT3G
85P
10000/Tape&Reel
L8550QLT1G
1YD
3000/Tape&Reel
L8550QLT3G
1YD
10000/Tape&a...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: L8550
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | 2SB1440 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — |  |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.