Серия биполярных транзисторов L9015

LRC

Общие характеристики

 Раздел Биполярный транзистор
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Корпус SOT-23-3

Документация на серию L9015

Rev.O 1/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE L9015QLT1G ƽComplementary to L9014. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series S-L9015QLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping L9015QLT1G S-L9015QLT1G L9015QLT3G S-L9015QLT3G L9015RLT1G S-L9015RLT1G L9015RLT3G S-L9015RLT3G L9015SLT1G S-L9015SLT1G L9015SLT3G S-L9015SLT3G 15Q 3000/Tape&Reel 15Q 10000/Tape&Reel 15R 3000/Tape&Reel 15R 10000/Tape&Reel 15S 3000/Tape&Reel 15S 10000/Tape&Reel 1 2 SOT– 23 COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 BASE Symbol Value Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Collector-Base Voltage VCBO -50 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V IC -100 mA Rating Collector current-continuoun Unit 2 EMITTER THERMAL CHARATEERISTICS Symbol Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board.(1) TA=25 C o Derate above 25 C Total Device Dissipation Unit 225 mW 1.8 mW/oC PD o Thermal Resistance, Junction to Ambient Max RJA 556 o C/W PD o Alumina Substrate, (2) TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 300 mW 2.4 mW/oC RJA 417 TJ ,Tstg -55 to +150 o C/W o C 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/4 PDF
Документация на L9015QLT1G 

Дата модификации: 23.08.2012

Размер: 156.8 Кб

4 стр.

    Товары серии L9015

    Наименование i Упаковка F гран h 21
    L9015QLT1G (LRC)
     
     
    L9015RLT1G (LRC)
     
     
    L9015SLT1G (LRC)