L9015SLT1G

LRC
Rev.O 1/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE L9015QLT1G ƽComplementary to L9014. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series S-L9015QLT1G Series DEVICE MARKING AND ORD...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
Rev.O 1/4 LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE L9015QLT1G ƽComplementary to L9014. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series S-L9015QLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping L9015QLT1G S-L9015QLT1G L9015QLT3G S-L9015QLT3G L9015RLT1G S-L9015RLT1G L9015RLT3G S-L9015RLT3G L9015SLT1G S-L9015SLT1G L9015SLT3G S-L9015SLT3G 15Q 3000/Tape&Reel 15Q 10000/Tape&Reel 15R 3000/Tape&Reel 15R 10000/Tape&Reel 15S 3000/Tape&Reel 15S 10000/Tape&Reel 1 2 SOT– 23 COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS 1 BASE Symbol Value Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Collector-Base Voltage VCBO -50 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V IC -100 mA Rating Collector current-continuoun Unit 2 EMITTER THERMAL CHARATEERISTICS Symbol Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board.(1) TA=25 C o Derate above 25 C Total Device Dissipation Unit 225 mW 1.8 mW/oC PD o Thermal Resistance, Junction to Ambient Max RJA 556 o C/W PD o Alumina Substrate, (2) TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 300 mW 2.4 mW/oC RJA 417 TJ ,Tstg -55 to +150 o C/W o C 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/4 PDF
Документация на L9015QLT1G 

Дата модификации: 23.08.2012

Размер: 156.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)