Серия FET транзисторов LBSS139

LRC

Общие характеристики

 Раздел FET транзисторы
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±

Документация на серию LBSS139

LBSS139LT1G S-LBSS139LT1G Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N–Channel SOT-23 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. ● Low threshold voltage (VGS(th): 0.5V...1.5V) makes it ideal for low voltage applications. ● ESD Protected:1500V 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBSS139LT1G J2 3000/Tape&Reel LBSS139LT3G J2 10000/Tape&Reel 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Parameter Drain–Source Voltage Gate–to–Source Voltage – Continuous Symbol Limits Unit VDSS 50 Vdc VGS ±20 Vdc ID 200 IDM 800 Symbol Limits Unit PD 225 mW Drain Current mAdc – Continuous TA = 25°C – Pulsed (tp≤10μs) 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, FR−4 Board (Note 1) @ TA = 25ºC 1.8 mW/ºC RΘJA 556 ºC/W TJ,Tstg −55∼+150 ºC 260 ºC Derate above 25ºC Thermal Resistance, Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature Maximum Lead Temperature for Soldering TL Purposes, for 10 seconds 1. FR–4 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.C Jan 2016 1/7 PDF
Документация на LBSS139LT1G 

Дата модификации: 13.01.2016

Размер: 1.06 Мб

7 стр.

    Товары серии LBSS139

    Наименование i Упаковка Pрасс
    LBSS139LT1G (LRC)
     
     
    LBSS139WT1G (LRC)