LBSS139WT1G
LBSS139WT1G
S-LBSS139WT1G
Power MOSFET
200 mAmps, 50 Volts N–Channel SC-70
1. FEATURES
●
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements and Halogen Free.
●
S- prefix for automotive and other applications requiring
unique site and control change requirements; AEC-Q101
SC70(SOT-323)
qualified and PPAP capable.
●
Low threshold voltage (VGS(th): 0.5V...1.5V) makes i...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: LBSS139
- Корпус: SOT-323-3 SC70
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 SC70 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.