Серия FET транзисторов LN2302LT1

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора	±
	Рассеиваемая мощность

Документация на серию LN2302LT1

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET LN2302LT1G ●APPLICATIONS 1)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 3 Improved Shoot-Through FOM 2)We declare that the material of product compliant with RoHS 1 requirements and Halogen Free 2 SOT– 23 (TO–236AB) ●FEATURES VDS= 20V RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m Ω RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m Ω 3 D ●DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device LN2302LT1G LN2302LT3G Marking N02 N02 G Shipping 3000/Tape&Reel 10000/Tape&Reel 1 2 S ●MAXIMUM RATINGS(Ta = 25℃) Limits Unit 20 V ±8 V 2.3 A 8 A TA = 25°C 0.9 PD W Maximum Power Dissipation TA = 75°C 0.57 Operating and Storage Temperature Range TJ, Tstg –55 to +150 °C Parameter Drain−to−Source Voltage Gate−to−Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (Note1) Junction to Ambient Thermal Resistance(PCB mounted)(Note 2) Symbol VDSS VGS ID IDM RθJA 145 °C/W 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by the Maximum junction temperation 2. 1-in2 2oz Cu PCB board July , 2015 Rev .B 1/5  PDF

Документация на LN2302LT1G 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 623.3 Кб

5 стр.

• найти LN2302LT1.pdf

Товары серии LN2302LT1