LN2302LT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
LN2302LT1G
●APPLICATIONS
1)High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
3
Improved Shoot-Through FOM
2)We declare that the material of product compliant with RoHS
1
requirements and Halogen Free
2
SOT– 23 (TO–236AB)
●FEATURES
VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60m Ω
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115m Ω
3 D
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: LN2302LT1
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 16
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WM02N28M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B |  |  |  |  |  |  |  | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | IRLML6246 (KLS) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | BLM2302 (CN BELL) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm |  | High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management | |||
| A+ | MTM78E2B0LBF (PAN) | WSON-8 | 1 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||
| A+ | WM02N31M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | SI2302B (YOUTAI) | SOT-23-3 | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | AO3414A (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJA9452 (JSCJ) | SOT893L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJ2102A (JSCJ) | SOT-323-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | WM02N45M (WAYON) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJL2302A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJL2300A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE2302 (NCE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTL2302B (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | SI2302A (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.