Серия биполярных транзисторов SS8550

Общие характеристики

Раздел Биполярный транзистор
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора

Документация на серию SS8550

RoHS SS8550 COMPLIANT Plastic-Encapsulate Transistors ■Features ■External and internal structure ●IC -1.5A ●PC 300mW ● PNP ■ Applications ●Amplification Effect ■ Marking Y2 ■Maximum Rantings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Value Collector-Base Voltage VCBO V -40 Collector-Emitter Voltage VCEO V -25 Emitter-Base Voltage VEBO V -5 Collector Current IC A -1.5 Total Device Dissipation PC mW 300 RΘJA ℃/W 417 Junction Temperature Tj ℃ 150 Storage Temperature TSTG ℃ -55 to +150 Thermal Resistance From Junction To Ambient ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) Item Symbol Unit Conditions Min Typ Max Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO V IC=-100uA,IE=0 -40 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* V IC =-1mA,IB=0 -25 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO V IE=-100uA,IC=0 -5 Collector cut-off current ICBO nA VCB=-40V,IE=0 -100 Collector cut-off current ICEO nA VCE=-20V, IB =0 -100 Emitter cut-off current IEBO nA VEB=-5V, IC =0 -100 hFE(1) V VCE=-1V,IC=-100mA 120 hFE(2) V VCE=-1V,IC=-800mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) V IC=-800mA,IB=-80mA -0.5 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) V IC=-800mA,IB=-80mA -1.2 fT MHz Cob pF DC current gain Transition frequency Collector output capacitance VCE=-10V,IC=-50mA,f=30MHz 400 100 VCB=-10V, IE=0, f=1MHz 20 ■CLASSIFICATION OF hFE RANK L H J RANGE 120-200 200-350 300-400 Document Number S-S258 Rev. 1.0, 20-Dec-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS8550H 

Microsoft Word - SS8550-SOT23

Дата модификации: 20.12.2014

Размер: 193.3 Кб

3 стр.

    Товары серии SS8550

    Наименование i Упаковка h 21
    SS8550 (YJ)
     

    SS8550 (ONS-FAIR)
     
    в ленте 3000 шт
    SS8550H (YJ)
     
     
    SS8550J (YJ)
     
     
    SS8550L (YJ)
     
     

    SS8550 публикации

    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать