CRTT370P10L

CR Micro
CRTT370P10L Trench P-MOSFET -100V, 31mΩ, -38A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 31mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -38A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery manage...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P- NCE01P30 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- JMGC540P10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTT370P10L Trench P-MOSFET -100V, 31mΩ, -38A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 31mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -38A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTT370P10L CRTT370P10L TO-220 Packing Tube Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS -100 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) -38 -120 A -25 ID pulse -152 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 110 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 111 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTT370P10L 

CRTT370P10L Keywords:

Дата модификации: 18.09.2019

Размер: 512.8 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)