NCE01P30
NCE01P30
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE01P30 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be
used in a wide variety of applications. It is ESD protested.
General Features
● VDS =-100V,ID =-30A
Schematic diagram
RDS(ON) <58mΩ @ VGS=-10V (Typ:50mΩ)
● Super high dense cell desig...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | YJP30GP10A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | CRTT370P10L (CRMICRO) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | JMGC540P10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE01P30
Microsoft Word - NCE01P30.data sheet.doc
Дата модификации: 12.08.2021
Размер: 335.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.