2N7002

DC Components
MOSFET транзистор - [SOT-23-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: 2N7002 (ONS-FAIR)
  • Корпус: TO236
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P= 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= 2N7002G (SHIKUES)
 
SOT-23-3 150 шт
 
 ± — — — —
P= 2N7002 (SHIKUES)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 ± — — — —
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= L2N7002SLT1G (LRC)
 
— в ленте 3000 шт
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET — —
P- 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- 2N7002T (JSCJ)
 

2N7002T (ONS-FAIR) 		SOT-523
 
 ± — — — — —
P- 2N7002KW (JSCJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 1330 шт — — —
P- 2N7002B (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002 (YOUTAI)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — —
P- 2N7002-G (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ 2N7002W (JSCJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3
 
 ± — — — —
A+ WM06N01M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ LBSS260DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
 ± — — — — —
A+ L2N7002WT1G (LRC)
 
— 1 шт ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ L2N7002M3T5G (LRC)
 
SOT-723 ± — — — — — —
A+ 2N7000 (JSCJ)
 

2N7000 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт — — — — —
A+ 2N7002T-HAF (JSCJ)
 
SOT-523
 
 — — —
A+ 2N7002T SOT-523 (JSCJ)
 
SOT-523
 
 — — —
A+ L2N7002EM3T5G (LRC)
 
SOT-723 ± — — — — —
A+ L2N7002LT1G (LRC)
 
— 1000 шт
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB — —
A+ 2N7000 TO-92 (JSCJ)
 
— 100 шт — — — —
A+ 2N7002 7002 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — —
A+ 2N7000-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N7002 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Description Designed for low voltage and low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. SOT-23 Pinning .020(0.5) .012(0.3) 1 = Gate 2 = Source 3 = Drain .063(1.6) .047(1.2) o Absolute Maximum Ratings(TA=25 Characteristic C) Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 V Drain-Gate Voltage (RGS=1MΩ) VDGR 60 V Gate-Source Voltage (Continuous) o VGS (1) Drain Current (Continuous, TC=25 C) 20 115 mA IDM 800 mA Total Power Dissipation o Derate above 25 C PD 200 1.8 mW o mW/ C Operating Junction Temperature TJ -55 to+150 TSTG -55 to+150 TL 260 (2) Storage Temperature Maximum Lead Temperature, for 10 Seconds Solding Purpose .045(1.2) .034(0.9) .091(2.3) .067(1.7) V ID Drain Current (Pulsed) .110(2.8) .083(2.1) .120(3.0) .110(2.8) .008(0.2) .004(0.1) .051(1.3) .035(0.9) .028(0.7) .004 .012(0.3) MAX. (0.1) o C .028(0.7) .012(0.3) o C o C Dimensions in inches and (millimeters) Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 60 - - V ID=10µA, VGS=0 Test Conditions VDS=60V, VGS=0 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS - - 1 µA Gate-Sourse Forward Leakage Current IGSSF - - 100 nA VGSF=20V, VDS=0 Gate-Sourse Reverse Leakage Current IGSSR - - -100 nA VGSR=-20V, VDS=0 VGS(th) 1 - 2.5 V VDS=2.5V, ID=0.25mA ID(on) 500 - - mA VDS(on)1 - - 0.375 V VDS(on)2 - - 3.75 V ID=500mA, VGS=10V RDS(on)1 - - 7.5 Ω ID=50mA, VGS=5V ID=500mA, VGS=10V (2) Gate Threshold Voltage On-State Drain Current (2) (2) Static Drain-Source On-State Voltage Static Drain-Source On-State Resistance (2) RDS(on)2 - - 7.5 Ω gFS 80 - - mS Input Capacitance Ciss - - 50 pF Forward Transconductance (2) Output Capacitance Coss - - 25 pF Reverse Transfer Capacitance Crss - - 5 pF Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA - - 625 (1)The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current. (2)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% o C/W VDS>2VDS(on), VGS=10V ID=50mA, VGS=5V VDS>2VDS(on), ID=200mA VDS=25V, VGS=0, f=1MHZ - PDF
Документация на 2N7002 

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 125.1 Кб

2 стр.

    Публикации 0

    показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    STB6NK60ZT4 (ST)