2N7002

UMW 2N7002 R 2N7002 SOT - 23 Plastic-Encapsulate MOSFETS MOSFET (N-Channel) V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23 5Ω@10V 60 V 115mA 7Ω@5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter FEATURE z High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch z Rugged and reliable z z High saturation current capability z Equivale...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002 (SHIKUES)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
±
P= 2N7002 (DC)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002G (SHIKUES)
 
SOT-23-3 150 шт
 
±
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002T SOT-523 (JSCJ)
 
SOT-523
 
A+ WM06N01M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LBSS260DW1T1G (LRC)
 
SC88
 
±
A+ L2N7002WT1G (LRC)
 
1 шт ± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ L2N7002M3T5G (LRC)
 
SOT-723 ±
A+ 2N7002W (JSCJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3
 
±
A+ 2N7002T-HAF (JSCJ)
 
SOT-523
 
A+ 2N7000 TO-92 (JSCJ)
 
100 шт
A+ 2N7002T (JSCJ)
 

2N7002T (ONS-FAIR)
SOT-523
 
±
A+ L2N7002EM3T5G (LRC)
 
SOT-723 ±
A+ 2N7002-G (JSCJ)
 
 
A+ 2N7002 7002 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ 2N7000-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2N7000 (JSCJ)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
A+ L2N7002LT1G (LRC)
 
1000 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
A+ 2N7002B (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.