CJQ6601

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ6601 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS SOP8 DESCRIPTIONS The Device uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. FEATURES  Including a N-ch CJ3400 MOS and a ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJQ6601

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —
P- NCE4503S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CRMM4606 (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- IRF7105TR (YOUTAI)
 

IRF7105TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM03DH60A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ CJQ4503 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJQ4614 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ6601 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS SOP8 DESCRIPTIONS The Device uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. FEATURES  Including a N-ch CJ3400 MOS and a P-ch  Surface mount package CJ3401 MOS (independently) in a package  Low RDS(on)  High-speed power inverter APPLICATIONS  Suitable for a multitude of applications. MARKING: EQUIVALENT CIRCUIT Q6601= Device code D1 Solid dot=Pin1 indicator D1 D2 8 7 6 1 2 3 D2 5 Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device Front side S1 G1 S2 4 G2 YY=Date Code MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Value Symbol Parameter Unit N-ch MOS P-ch MOS VDS Drain-Source Voltage 30 -30 V VGS Gate-Source Voltage ±12 ±12 V ID Drain Current -Continuous(Note1) 5.8 -4.2 A IDM Drain Current - Pulse(Note3) 23.2 -16.8 A Power Dissipation 1.4 W Thermal Resistance from Junction to Ambient 89 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ TL Lead Temperature 260 ℃ Power Dissipation, Temperature and Thermal Resistance PD RθJA www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.2 PDF
Документация на CJQ6601 

Дата модификации: 09.12.2021

Размер: 1.9 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)