WM03DH60A

WAYON
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features  Way-on Small Signal MOSFETs  N - Channel： D1 D1 D2 VDS= 30V, ID = 5.8A RDS(on) < 36 mΩ @ VGS = 10V S1 RDS(on) < 45 mΩ @ VGS = 4.5V  D2 P - Channel： G1 S2 G2 SOP-8L VDS= -30V, ID = -6A RDS(on) < 24 mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 35 mΩ @ VGS = -4.5V  Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics  S...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —
P- CJQ6601 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- IRF7309TR (YOUTAI)
 

IRF7309TR (INFIN) 		— 10 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE4503S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE30NP07S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE4606 (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7319TR (YOUTAI)
 

IRF7319TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4606 (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7105TR (YOUTAI)
 

IRF7105TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM03DH60A N+P Dual Channel Enhancement MOSFET Features  Way-on Small Signal MOSFETs  N - Channel： D1 D1 D2 VDS= 30V, ID = 5.8A RDS(on) < 36 mΩ @ VGS = 10V S1 RDS(on) < 45 mΩ @ VGS = 4.5V  D2 P - Channel： G1 S2 G2 SOP-8L VDS= -30V, ID = -6A RDS(on) < 24 mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 35 mΩ @ VGS = -4.5V  Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics  SOP-8L Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D1 D1 D2 D2 D2 D1 8 7 6 5 1 2 3 4 G2 G1 S2 S1 S1 G1 S2 G2 SOP-8L(Top View) Device symbol Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 ±20 V ID 5.8 -6 A IDM 23.2 -24 A Continuous Drain Current TA=25°C Pulsed Drain Current1 Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range PD 1.2 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 104 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev.A,2022 Doc:W0803482 1/8 PDF
Документация на WM03DH60A 

Features Keywords:

Дата модификации: 22.04.2022

Размер: 675.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)