PZTA42

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZTA42 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES · High breakdown voltage ·Low collector-emitter saturation voltage 1. BASE ·Complementary type: PZTA92(PNP) 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Para meter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCE...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PZTA42 (SHIKUES)
 

PZTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-223
 
 — — — —
P= AD-PZTA42 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MJD340 (SHIKUES)
 
TO252
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors PZTA42 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES · High breakdown voltage ·Low collector-emitter saturation voltage 1. BASE ·Complementary type: PZTA92(PNP) 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Para meter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A ICM Collector Current -Pulsed 0.5 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ MARKING: ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 300 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 300 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=200V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=6V,IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=10V,IC=1mA 25 hFE(2) VCE=10V,IC=10mA 40 hFE(3) VCE=10V,IC=30mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=20mA,IB=2mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=20mA,IB=2mA 0.9 V DC current gain Transition frequency Collector output capacitance www.jscj-elec.com fT Cob VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz VCB=20V,IE=0,f=1MHz 1 50 MHz 3 pF Rev. - 2.1 PDF
Документация на PZTA42 

Microsoft Word - PZTA42 _SOT-223_.doc

Дата модификации: 04.09.2020

Размер: 957.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)