WML18N70EM

WML18 8N70EM, WMK18N7 W 70EM, WMM18N70EM WMN18 8N70EM, WMP18N7 W 70EM, WMO18N70EM 700V V 0.24Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS EM is G D S G D S TO-22 20F suitable fo ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK80R350S (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK15N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
A+ WMO18N70EM (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
A+ WMM80R350S (WAYON)
 
TO263 24 шт
 
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
12 шт
 
A+ WML15N80M3 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML18 8N70EM, WMK18N7 W 70EM, WMM18N70EM WMN18 8N70EM, WMP18N7 W 70EM, WMO18N70EM 700V V 0.24Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon’s W 3rd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS EM is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D Features D S S G G TO-26 63 VDS =7 750V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.24 4Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G D G S TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 700 V ID 16 A 8.6 A IDM M 43 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 245 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.15 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge 125 34 W 1.0 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 16 A Diode pulse e current IS,puulse 43 A MOSFET dvv/dt ruggedne ess dv/d dt 50 V/ns Peak diode recovery volta age slope dv/d dt 15 V/ns Continuous diode forward d current Rev.2.0, 2019 Doc.W08 865033 1 / 10 PDF
Документация на серию WMx18N70EM 

Microsoft Word - WMx18N70EM W0865033 V2.0

Дата модификации: 02.04.2022

Размер: 708.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.