SF34G

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 62 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
F~ SF34 (YJ)
 
DO201AD
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- SR5200 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- HER303G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- HER503G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SF54G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- UF5402 (YJ)
 
DO201AD
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR3200 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- MUR420 (YJ)
 
DO201AD в ленте 1250 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- HER303G (LRC)
 
DO201AD — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SB5200 (LRC)
 
DO201AD — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SF54G (LRC)
 
DO201AD
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SF31G THRU SF38G COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF37G SF38G SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF37G SF38G 50 100 150 200 300 400 500 600 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃ IF(AV) A 3.0 Forward Surge Current(Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 125 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Reverse Recovery time trr Typical junction capacitance Cj SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G 0.95 1.3 Ta=25℃ 5 Ta=100℃ 150 ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 35 pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 SF36G SF37G SF38G 1.7 40 1/4 S-A157 Rev.2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SF31G 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 482.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)