YJG80G06B

SUNCOYJ
RoHS YJG80G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A ＜4.2 mohm ＜5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ NCEP6090AGU (NCE)
 
— 300 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP6080AG (NCE)
 
— 24 шт
 
 ± — — —
A+ JMSL0603BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0602AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0804NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ BLM04N06-B (CN BELL)
 
—
 
 N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
— в ленте 20 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
— 125 шт ± — — — — —
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJG80G06A (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
 — — —
A+ NCEP60T12A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG80G06B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A ＜4.2 mohm ＜5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Unit 80 Drain Current (Silicon limited) ID A Tc=100℃ 50 Pulsed Drain Current A IDM 320 A Avalanche energy B EAS 400 mJ Tc=25℃ 96 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 38.4 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 45 55 1.0 1.3 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG80G06B F1 YJG80G06B 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E145 Rev.1.0,10-Jun-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG80G06BF1 

Дата модификации: 21.06.2021

Размер: 1.23 Мб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    25 января 2024
    новость

    SUNCOYJ представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCOYJ продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)