YJL2301C

SUNCOYJ
RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) -20V -3.4A ＜51mohm ＜67mohm ＜100mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and Current handing capability ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flam...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJ2321 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P= YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= CJ2321A (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — — ± — — — — —
P- IRLML6302 (YOUTAI)
 

IRLML6302 (INFIN) 		SOT-23-3 14000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM02P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM02P23M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- CJ3139K (JSCJ)
 
SOT-723 3000 шт
 
 — — —
P- NCE2305 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- WM02P30ME (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —
P- IRLML6402TR (YOUTAI)
 

IRLML6402TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- YJL2305BQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- YJL2301CQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- JMTL2301C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) -20V -3.4A ＜51mohm ＜67mohm ＜100mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and Current handing capability ● Low Gate Charge ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● PWM applications ● Power management ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit -3.4 Drain Current ID A -2.7 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation -14 A 1 W 0.64 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 125 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL2301C F2 S1. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E027 Rev.3.2,2-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL2301C 

Дата модификации: 02.03.2022

Размер: 674.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)