YJL2305B

SUNCOYJ
RoHS YJL2305B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ● 100% ▽VDS Tested -20V -5.4A ＜39mohm ＜49mohm ＜63mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and Current handing capability ● Low Gate Charge Applications ● Battery protection ● Pow...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= IRLML6402TR (YOUTAI)
 

IRLML6402TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= CJ2321A (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — — ± — — — — —
P= CJ2321 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P= JMTL2301C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- WM02P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML2244TR (YOUTAI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM02P30ME (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTL3415KL (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —
P- YJL2305BQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- YJL2301CQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- NCE2305 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJL2305B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ● 100% ▽VDS Tested -20V -5.4A ＜39mohm ＜49mohm ＜63mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and Current handing capability ● Low Gate Charge Applications ● Battery protection ● Power management ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit -5.4 Drain Current ID A TA=70℃ -4.4 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation -22 A 1.2 W 0.8 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 104 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL2305B F2 S5B· 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E028 Rev.3.2,23-Oct-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL2305B 

Дата модификации: 17.11.2021

Размер: 781.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)