YJL3134K
RoHS
YJL3134K
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
20V
● ID
0.9A
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
<260 mohm
● RDS(ON)( at VGS=2.5V)
<360 mohm
● ESD Protected Up to 4.0KV (HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Power and current handing capability
Applications
● Interfacing switching
● Load/Power switching
● Logic Level shi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | JMTL3134K (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJL3134K
Microsoft Word - YJL3134K Rev3.0
Дата модификации: 28.09.2020
Размер: 879 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.