PAI110E31
2Pai Semi
Enhanced ESD, 3.0 kV rms
200Mbps Single-Channel Digital Isolators
π110E3
Data Sheet
FEATURES
Ultra-low power consumption (1Mbps): 0.75mA/Channel
High data rate: 200Mbps
High common-mode transient immunity: 75 kV/µs typical
High robustness to radiated and conducted noise
Low propagation delay:
8 ns typical for 5 V operation
9 ns typical for 3.3 V operation
Isolation voltages: AC 300...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Изоляторы цифровых сигналов
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-8 SOIC8 | |
|---|---|---|
| Напряжение изоляции RMS | ||
| Кол-во передатчиков | ||
| Кол-во приемников | ||
| Скорость передачи данных | ||
| Максимальная задержка сигнала | ||
| Диапазон напряжений питания | ||
| Примечание | Capacitive isolation 1 General-purpose SOP-8 Digital Isolators ROHS | |
| Рабочая температура |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Изоляция | TX | RX | Скорость | Задержка | U пит | Примечание | T раб | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F~ | NSI8210N1-DSPR (NOVOSENS) | — | 1 шт |
| |||||||||
| F~ | NSI8210N1-Q1SPR (NOVOSENS) | SOP-8 |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.