RB751S-40

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 370 мВ, ёмкостью перехода 2 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LRB751S-40T1G (LRC)
 
SOD-523 100 шт
 
 — — — — —
P= RB751S-40 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.03A, 40V V(RRM)
P= RB751S-40 (SHIKUES)
 
SOD-523
 
 — — — — — — —
P= RB751S-40 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — —
P= RB520S-40 (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —
P= BAT54XV2 (SHIKUES)
 

BAT54XV2 (ONS-FAIR) 		SOD-523 3000 шт
 
 — — — — — — —
P= RB521S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= RB520S-40 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
P= LBAT54XV2T1G (LRC)
 
SOD-523 1 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT46X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= LRB520S-40T1G (LRC)
 
SOD-523
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
P= LBAS70BST5G (LRC)
 
SOD882
 
 — — — — —
P= RB520S-40 (SHIKUES)
 
SOD-523
 
 — — — — — — —
P= BAT64X (JSCJ)
 
SOD-523 8000 шт — —
P= RB521S-40 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — —
P= B5819WT (ANBON)
 
SOD-523
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RB751S-40 30mA Surface Mount Small Signal Schottky Diodes- 40V Features Package outline 0.016 (0.40 ) 0.009(0.25) standards of MIL-STD-19500 /228 SOD-523 0.035(0.90) 0.028(0.70) • Low current rectification and extremely high speed switching. • Extremely small surface mount type. • Up to 30mA current capability. • High Reliability. • Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction. • Lead-free parts meet exceeds environmental 0.051(1.30) 0.043(1.10) • Compliant to Halogen - free 0.028(0.70) 0.020(0.50) 0.007(0.20) 0.002(0.05) Mechanical data • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOD-523 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.067(1.70) 0.059(1.50) MIL-STD-750, Method 2026 • Polarity : Indicated by cathode band • Mounting Position : Any Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Repetitive peak reverse voltage V RM 40 V Continuous reverse voltage VR 30 V Average Rectifier Forward current I F(AV) 30 mA 200 mA Forward surge current 60Hz for 1cycle I FSM Capacitance between terminals f=1MHz and applied 1.0V DC reverse voltage CT Operating junction temperature range TJ Storage temperature range T STG 2 -65 -55 pF +125 o C +125 o C Forward voltage I F = 1.0 mA VF 0.37 V Reverse current V R = 30 V IR 0.5 uA http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date AS-3160011 2008/02/10 2022/05/16 Revision D Page. 5 PDF
Документация на RB751S-40 

RB751S-40

Дата модификации: 23.10.2014

Размер: 1.93 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)