LBAT54XV2T1G

LRC
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 240 мВ, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD-523
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT54X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= BAT54X (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —
P= RB521S-30 (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —
P= RB520S-40 (ANBON)
 
SOD-523 — — — — —
P= BAT54 (YJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= RB520S-30 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54XV2 (YJ)
 

BAT54XV2 (ONS-FAIR) 		SOD-523 8000 шт — —
P= RB521S-30 (SHIKUES)
 
SOD-523
 
 — — — — — — —
P= RB520S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 112000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= RB521S-30 (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= BAT54XV2 (SHIKUES)
 

BAT54XV2 (ONS-FAIR) 		SOD-523 3000 шт
 
 — — — — — — —
P= BAT54 (JSCJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
P= LBAT54LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 2580 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54 (SHIKUES)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= BAT54 (DC)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT54 (ANBON)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — —
P= BAT54W (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD103AWS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= BAT54H (YJ)
 
— в ленте 9000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BAS40 (JSCJ)
 

BAS40 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAT42WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= BAT42WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= LBAT54HT1G (LRC)
 
SOD323 1000 шт — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= SD106WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 20 шт
 
 — — —
P= LBAT40HT1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= LMSD103BT1G (LRC)
 
SOD123
 
 — — — — —
P= BAT54W SOD-123 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 90000 шт —
P= B0530W (SHIKUES)
 
SOD123
 
 — — — — — —
P= BAT54WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —
P= SD103AX (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= RB520S-40 (YJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — — — —
P= LRB520S-40T1G (LRC)
 
SOD-523
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Schottky Barrier Diodes These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited. • Extremely Fast Switching Speed • Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I F = 10 mAdc • Device Marking: JV LBAT54XV2T1G S- LBAT54XV2T1G 1 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 2 SOD-523 ORDERING INFORMATION Device LBAT54XV2T1G S-LBAT54XV2T1G LBAT54XV2T3G S-LBAT54XV2T3G Marking Shipping JV 3000/Tape & Reel JV 10000/Tape & Reel 1 CATHODE 2 ANODE MAXIMUM RATINGS (TJ =125°C unless otherwise noted ) Rating Reverse Voltage Symbol VR Value 30 Unit V Symbol PD Max 200 Unit mW THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board,* TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature 1.57 635 125 -40 to +125 RθJA TJ Tstg mW/°C °C/W °C °C * FR-4 Minimum Pad ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE) Characteristic Reverse Breakdown Voltage (I R = 10 µA) Total Capacitance (V R = 1.0 V, f = 1.0 MHz) Reverse Leakage (V R = 25 V) Forward Voltage (I F = 0.1 mAdc) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) Forward Voltage (I F = 10 mAdc) Forward Voltage (I F = 30 mAdc) Forward Voltage (I F = 100 mAdc) Reverse Recovery Time (I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc, Figure 1) Forward Current (DC) Repetitive Peak Forward Current Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s) Symbol V(BR)R CT IR VF VF VF Min 30 — — — — — Typ — — 0.5 0.22 0.29 0.35 Max — 10 2.0 0.24 0.32 0.40 Unit Volts pF µAdc Vdc Vdc Vdc VF VF — — 0.41 0.52 0.5 1.0 Vdc Vdc trr — — 5.0 ns IF — — — — — — 200 300 600 mAdc mAdc mAdc IFRM IFSM Rev.A 1/3 PDF
Документация на LBAT54XV2T1G 

Дата модификации: 17.08.2012

Размер: 154.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)