SD103AWS

Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 600 мВ, ёмкостью перехода 50 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT54WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= LBAT54HT1G (LRC)
 
SOD323 в ленте 1000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= B0540WS (SHIKUES)
 
SOD323 1 шт
 
P= SD103AWS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= BAT54 (YJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= LBAT40HT1G (LRC)
 
SOD323
 
P= SD103AWS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon
P= BAT54H (SHIKUES)
 
SOD323 1000 шт
 
P= BAT54WS (ANBON)
 
SOD323
 
P= SD106WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 20 шт
 
P= BAT54WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= BAT54S (JSCJ)
 

BAT54S (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= SD103AWS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= BAT54WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
P= BAT42WS (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 400 шт
 
P= B0540WS (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= ESD3Z36C (ANBON)
 
SOD323
P= RB551V-30 (ANBON)
 
SOD323 1 шт
 
P= LMBR0540ET1G (LRC)
 
 
P= SD103AWSQ (YJ)
 
SOD323
 

Файлы 1

показать свернуть
SD103AWS / BWS / CWS 350mA Surface Mount Small Signa l Schottky Diode-20V-40V Package outline standards of MIL-STD-19500 /228 • Compliant to Halogen-free SOD-323 0.016(0.40) 0.010(0.25) • Low current rectification and high speed switching. • Extremely small surface mount type. • Low forward voltage drop. • Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction. • Lead-free parts for green partner, exceeds environmental 0.055(1.40) 0.047(1.20) Features 0.071(1.80) 0.063(1.60) 0.008(0.20) Mechanical data • Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, SOD-323 • Terminals : Solder plated, solderable per 0.003(0.08) 0.039(1.00) 0.031(0.80) 0.108(2.75) 0.096(2.45) MIL-STD-750, Method 2026 • Polarity : Indicated by cathode band • Mounting Position : Any Maximum ratings Dimensions in inches and (millimeters) (AT T A=25 oC unless otherwise noted) PARAMETER CONDITIONS Symbol SD103AWS SD103BWS SD103CWS UNIT Peak repetitive reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage RMS reverse voltaget V RRM V RWM VR 40 30 20 V V R(RMS) 28 21 14 V Average rectified output current I F(AV) 350 I FSM 1.5 A PD 200 mW R θJA 625 °C/W TJ -55 ~ +125 o C -65 ~ +125 o C Non-repetitive peak forward surge current @ t < 1.0s Total device dissipation Thermal resistance Junction to ambient Operating temperature T STG Storage temperature mA Electrical Characteristics (AT T =25 C unless otherwise noted) o A PARAMETER CONDITIONS Symbol MIN. V (BR)R 40 30 20 I R=100uA,SD103AWS Reverse breakdown voltage I R=100uA,SD103BWS I R=100uA,SD103CWS TYP. MAX. UNIT V Forward voltage I F = 20mA I F = 200mA VF 0.37 0.60 Reverse current V R = 30 V, S D103AWS V R = 20 V, SD103BWS V R = 10 V, SD103CWS IR 5.0 Typical Junction capacitance V R = 0 V, f = 1.0MHz CJ 50 pF Reverse recover time I F = I R = 200mA, I rr = 0.1 X I R, R L = 100 OHM t rr 10 ns http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482812 Page 1 V uA Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3160015 2003/03/08 2021/10/18 E 3 PDF
Документация на SD103AWS 

SD103AWS_BWS_CWS SOD-323 Keywords:

Дата модификации: 20.06.2018

Размер: 843.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.