SR140

Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 1 А, с падением напряжения 550 мВ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N5819 (YJ)
 

1N5819 (ONS-FAIR)
DO41 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N5819 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1
P= 1N5819 (DC)
 

1N5819 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1
P= LMBR140T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
SR120 THRU SR1200 1.0A Axial Leaded Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V Package outline Features • Axial lead type devices for through hole design. • Low power loss, high efficiency. • High current capability, low forward voltage drop. • High surge capability. • Guardring for overvoltage protection. • Ultra high-speed switching. • Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction. • Lead-free parts meet environmental standards of DO-41 1.0(25.4) MIN. .107(2.7) MIL-STD-19500 /228 .080(2.0) DIA. • Suffix "-H" indicates Halogen free parts, ex. SR120-H. .205(5.2) .166(4.2) Mechanical data • Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant • Case : Molded plastic, DO-41 • Lead : Axial leads, solderable per MIL-STD-202, 1.0(25.4) MIN. .031(.80) .023(.60) DIA. Method 208 guaranteed • Polarity: Color band denotes cathode end • Mounting Position : Any • Weight : Approximated 0.33 gram Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT PARAMETER T A=25 oC unless otherwise noted) Symbol CONDITIONS Forward rectified current See Fig.1 Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) V R = V RRM T J = 25 OC Reverse current Thermal resistance Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage Storage temperature SYMBOLS *1 V RRM (V) *3 VR (V) *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) 0.55 -55 to +125 SR120 20 14 20 SR130 30 21 30 SR140 40 28 40 SR150 50 35 50 SR160 60 42 60 SR180 80 56 80 SR1100 100 70 100 SR1150 150 105 150 0.90 SR1200 200 140 200 0.95 MAX. UNIT 1.0 A I FSM 30 A 0.5 10 R θJA R θJL 50 15 CJ 110 T STG V RMS*2 (V) TYP. IR O V R = V RRM T J = 100 C Junction to ambient (Note 1) Junction to lead (Note 1) MIN. IO -65 mA O C/W pF +175 O C *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage *3 Continuous reverse voltage 0.70 *4 Maximum forward voltage@I F=1.0A 0.85 -55 to +150 Note 1:Thermal resistance Vertical P.C.B. mounted , with 1.5 X1.5"(38X38mm)copper pads Page 1 Document ID Issued Date A S- 3060026 2 008/02/10 Revised Date Revision Page. 2013/11/15 C 3 PDF
Документация на SR120 

SR120 THRU SR1200 DO-41

Дата модификации: 04.03.2014

Размер: 477.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.