1N5819

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 1 А, с падением напряжения 600 мВ, ёмкостью перехода 50 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SR140 (ANBON)
 
DO41
 
P= 1N5819 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1
P= 1N5819 (DC)
 

1N5819 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1
P= LMBR140T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
A- SR140 (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N5817 THRU 1N5819 COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5817 1N5818 1N5819 1N5817 1N5818 1N5819 20 30 40 VRRM V IO A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+125 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS 1N5817 1N5818 1N5819 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM =1.0A 0.45 0.55 0.6 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF Ta=25℃ 0.2 Ta=100℃ 20 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 50 1/4 S-A247 Rev. 2.1, 31-Oct-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N5817 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 470.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.