PN8160SEC-R1H

Chipown
Chipown PN8160 超低待机功耗准谐振交直流转换芯片 概述 PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯 片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过 QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范 围下的最佳效率。频率调制技术和SoftD...
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Технические характеристики

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Корпус SO-8 SOIC8
Топология
Максимальное напряжение силового ключа
Максимальный ток силового ключа
Номинальная мощность
Максимальная частота преобразователя
Максимальная скважность преобразователя
Ток собственного потребления
Примечание Low Standby-Power Off-line PWM converter
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Файлы 1

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Chipown PN8160 超低待机功耗准谐振交直流转换芯片 概述 PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯 片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过 QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范 围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要超低待机功耗的高性价比反激 式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。 产品特征 应用领域 ■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET ■ 待机电源 ■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率 ■ 开放式开关电源 ■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积 ■ 适配器 ■ 外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻 ■ 高低压脚位两侧排列提高安全性 ■ 内置高压启动，空载待机功耗 < 50 mW @230VAC ■ 改善EMI的频率调制技术 ■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用 ■ 内置线电压补偿和斜坡补偿 ■ 优异全面的保护功能 封装/订购信息  过温保护 (OTP)  输出过压保护  逐周期过流保护 (OCP) PN8160NEC-T1T  输出开/短路保护  专利的DMG电阻开/短路保护(Latch模式)  次级整流管短路保护  过负载保护（OLP） 功能 输出功率 差异 90~265VAC DIP8 QR 24W PN8160NEC-T1R DIP8 No QR 24W PN8160NEC-T1H DIP8 QR 24W PN8160NEC-T1M DIP8 QR 18W PN8160NEC-T1X DIP8 QR 18W PN8160SEC-R1H SOP8 QR 18W 订购代码 封装 注：典型输出功率是在环境温度40℃的密闭应用情形下测试。 典型应用 www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 1 / 11 PDF
Документация на серию PN8160 

Microsoft Word - PN8160 datasheet中文版Rev.A 1805

Дата модификации: 28.05.2023

Размер: 466.2 Кб

11 стр.

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    AP8012HSEC-R1 (CHIPOWN)