PN8306HSEC-R1

Chipown
Chipown PN8306H 内置功率MOS的高性能同步整流器 概述 PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二 极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的 标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。 产品特征 ■ 内置8mΩ 40V Trench MOSFET...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Топология
Максимальное напряжение силового ключа
Максимальный ток силового ключа
Номинальная мощность
Ток собственного потребления
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Chipown PN8306H 内置功率MOS的高性能同步整流器 概述 PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二 极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的 标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。 产品特征 ■ 内置8mΩ 40V Trench MOSFET ■ 适用于DCM和QR工作模式 ■ 自适应次级电流检测电路 ■ 优异全面的辅助功能  欠压保护  过压钳位  防误开启 应用领域 ■ 5V电池充电器及适配器 封装/订购信息 订购代码 典型输出功率 封装 90~265VAC PN8306HSEC-R1 SOP-8 16W 注：典型输出功率是在环境温度 45℃的密闭式应用情形下 测试。 典型应用 SW GND SR OFF UVLO + - PWM &GATE driver -32mV -400mVSR ON + - VCC CLAMP VCC Tonmin PN8306H www.chipown.com © 2017 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1711 2017 年 11 月 1/9 PDF
Документация на серию PN8306H 

Microsoft Word - PN8306H Datasheet中文版 Rev.A 1711

Дата модификации: 14.11.2023

Размер: 288 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    AP8012HSEC-R1 (CHIPOWN)