PN8386FSEC-R1N

Chipown
Chipown PN8386F 超低待机功耗原边反馈交直流转换器 概述 PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗 小于50mW（230VAC）。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输 出线补偿功能能使系统获得较好的负载调...
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Технические характеристики

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Корпус SO-8 SOIC8
Топология
Максимальное напряжение силового ключа
Максимальный ток силового ключа
Номинальная мощность
Ток собственного потребления
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Файлы 1

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Chipown PN8386F 超低待机功耗原边反馈交直流转换器 概述 PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗 小于50mW（230VAC）。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输 出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供 了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。 应用领域  开关电源适配器  电池充电器  机顶盒电源 输出特性 Vo ±5% 100% ±5% 60% 产品特征 Io  内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET  内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）  采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准  全电压输入范围±5%的CC/CV精度 封装/订购信息 SOP8 SW  原边反馈可省光耦和TL431 GND  恒压、恒流、输出线补偿外部可调 VDD SW  无需额外补偿电容 FB SW  无音频噪声 CS SW  智能保护功能 订购代码 典型功率 封装  过温保护 (OTP)  VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP) PN8386FSEC-R1N  逐周期过流保护 (OCP) 注：最大输出功率是在环境温度 45°C 的密闭式应用情形  CS开/短路保护 (CS O/SP） 下测试。  开环保护 (OLP) 85~265VAC SOP8 15W 典型应用 VDD OTP Block FB GND www.chipown.com DC Output Snubber AC 85~265V CC/CV control Cable comp SUPPLY &UVLO SW HV Startup PWM Switch &Gate Driver CS OCP 无锡芯朋微电子股份有限公司 PN8386F Rev. 1.1 1/11 PDF
Документация на PN8386FSEC-R1N 

超低待机功耗交直流转换芯片

Дата модификации: 03.01.2024

Размер: 605.3 Кб

11 стр.

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    AP8012HSEC-R1 (CHIPOWN)